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Characterization of double gate TFTs fabricated in advanced SLS ELA polycrystalline silicon films
von
Kouvatsos, Dimitrios N.
,
Farmakis, Filippos V.
,
Moschou, Despina C.
,
Kontogiannopoulos, Giannis P.
,
Papaioannou, George J.
,
Voutsas, Apostolos T.
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Solid-state electronics
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2
Hot-carrier stress induced degradation of SLS ELA polysilicon TFTs – Effects of gate width variation and device orientation
von
Kontogiannopoulos, Giannis P.
,
Farmakis, Filippos V.
,
Kouvatsos, Dimitrios N.
,
Papaioannou, George J.
,
Voutsas, Apostolos T.
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Solid-state electronics
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3
A Practical Model Assessing the Degradation of Polycrystalline Silicon TFTs Due to DC Electrical Stress
von
Kontogiannopoulos, Giannis P.
,
Farmakis, Filippos V.
,
Kouvatsos, Dimitrios N.
,
Papaioannou, George J.
,
Voutsas, Apostolos T.
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IEEE transactions on electron devices
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4
On the importance of the Vg,max―Vth parameter on LTPS TFT stressing behavior
von
MOSCHOU, Despina C
,
KONTOGIANNOPOULOS, Giannis P
,
KOUVATSOS, Dimitrios N
,
VOUTSAS, Apostolos T
Veröffentlicht in
Microelectronics and reliability
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5
The effect of crystallization technology and gate insulator deposition method on the performance and reliability of polysilicon TFTs
von
Moschou, Despina C.
,
Kontogiannopoulos, Giannis P.
,
Kouvatsos, Dimitrios N.
,
Voutsas, Apostolos T.
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Physica status solidi. C
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6
On the importance of the V g,max– V th parameter on LTPS TFT stressing behavior
von
Moschou, Despina C.
,
Kontogiannopoulos, Giannis P.
,
Kouvatsos, Dimitrios N.
,
Voutsas, Apostolos T.
Veröffentlicht in
Microelectronics and reliability
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7
Front and Back Channel Properties of Asymmetrical Double-Gate Polysilicon TFTs
von
Farmakis, Filippos V.
,
Kouvatsos, Dimitrios N.
,
Voutsas, Apostolos T.
,
Moschou, Despoina C.
,
Kontogiannopoulos, Giannis P.
,
Papaioannou, George J.
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