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Nature of doped a -Si : H / c -Si interface recombination
Veröffentlicht in Journal of applied physics
VolltextArtikel -
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Abruptness of a-Si:H∕c-Si interface revealed by carrier lifetime measurements
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
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Boron-doped a - Si : H ∕ c - Si interface passivation: Degradation mechanism
Veröffentlicht in Applied physics letters
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