Suchergebnisse - KOMORI, Yosuke

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Effectiveness of HEPA Filters at Removing Infectious SARS-CoV-2 from the Air von Ueki, Hiroshi, Ujie, Michiko, Komori, Yosuke, Kato, Tatsuo, Imai, Masaki, Kawaoka, Yoshihiro

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Dynamic nuclear polarization induced by hot electrons von Komori, Yosuke, Okamoto, Tohru

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Pipe-shaped BiCS flash memory with 16 stacked layers and multi-level-cell operation for ultra high density storage devices von Katsumata, R., Kito, M., Fukuzumi, Y., Kido, M., Tanaka, H., Komori, Y., Ishiduki, M., Matsunami, J., Fujiwara, T., Nagata, Y., Li Zhang, Iwata, Y., Kirisawa, R., Aochi, H., Nitayama, A.

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Tire von Komori, Yosuke

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TIRE von KOMORI, Yosuke

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Ettingshausen effect around a Landau level filling factor nu = 3 studied by dynamic nuclear polarization von Komori, Yosuke, Sakuma, Satoru, Okamoto, Tohru

Veröffentlicht in Physical review letters

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TYRE MOLD, METHOD FOR MANUFACTURING TYRE, AND TYRE von SANAE, Ryuhei, KOMORI, Yosuke

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TIRE von KOMORI, Yosuke

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TIRE von KOMORI, Yosuke

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Semiconductor device von Komori, Yosuke, Sueyama, Takao

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Spin current in the quantum Hall regime detected by dynamic nuclear polarization von Komori, Yosuke, Sakuma, Satoru, Okamoto, Tohru

Veröffentlicht in Physica. E, Low-dimensional systems & nanostructures

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SEMICONDUCTOR DEVICE von SUEYAMA, Takao, KOMORI, Yosuke

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Semiconductor device von Komori, Yosuke, Sueyama, Takao

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Observation of the Ettingshausen effect in quantum Hall systems von KOMORI, Yosuke, OKAMOTO, Tohru

Veröffentlicht in Physical review. B, Condensed matter and materials physics

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SEMICONDUCTOR DEVICE von SUEYAMA, Takao, KOMORI, Yosuke

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Disturbless flash memory due to high boost efficiency on BiCS structure and optimal memory film stack for ultra high density storage device von Komori, Y., Kido, M., Kito, M., Katsumata, R., Fukuzumi, Y., Tanaka, H., Nagata, Y., Ishiduki, M., Aochi, H., Nitayama, A.

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Semiconductor memory device and method of manufacturing the same von Komori Yosuke

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SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME von KOMORI Yosuke

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Tyre mold, method for manufacturing tyre, and tyre von Komori, Yosuke, Sanae, Ryuhei

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TYRE MOLD, METHOD FOR MANUFACTURING TYRE, AND TYRE von SANAE, Ryuhei, KOMORI, Yosuke

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Ettingshausen effect around a Landau level filling factor nu = 3 studied by dynamic nuclear polarization von Komori, Yosuke, Sakuma, Satoru, Okamoto, Tohru

TYRE MOLD, METHOD FOR MANUFACTURING TYRE, AND TYRE von SANAE, Ryuhei, KOMORI, Yosuke

TIRE von KOMORI, Yosuke

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Semiconductor device von Komori, Yosuke, Sueyama, Takao

Spin current in the quantum Hall regime detected by dynamic nuclear polarization von Komori, Yosuke, Sakuma, Satoru, Okamoto, Tohru

SEMICONDUCTOR DEVICE von SUEYAMA, Takao, KOMORI, Yosuke

Semiconductor device von Komori, Yosuke, Sueyama, Takao

Observation of the Ettingshausen effect in quantum Hall systems von KOMORI, Yosuke, OKAMOTO, Tohru

SEMICONDUCTOR DEVICE von SUEYAMA, Takao, KOMORI, Yosuke

Disturbless flash memory due to high boost efficiency on BiCS structure and optimal memory film stack for ultra high density storage device von Komori, Y., Kido, M., Kito, M., Katsumata, R., Fukuzumi, Y., Tanaka, H., Nagata, Y., Ishiduki, M., Aochi, H., Nitayama, A.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same von Komori Yosuke

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME von KOMORI Yosuke

Tyre mold, method for manufacturing tyre, and tyre von Komori, Yosuke, Sanae, Ryuhei

TYRE MOLD, METHOD FOR MANUFACTURING TYRE, AND TYRE von SANAE, Ryuhei, KOMORI, Yosuke

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