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Local bandgap narrowing in the forming state of threshold switching materials
Veröffentlicht in Applied physics letters
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High-mobility diamond field effect transistor with a monocrystalline h-BN gate dielectric
Veröffentlicht in APL materials
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Structure and transport properties of the interface between CVD-grown graphene domains
Veröffentlicht in Nanoscale
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Effect of interfacial water formed between graphene and SiO2/Si substrate
Veröffentlicht in Applied physics express
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Erratum: Parity effect of bipolar quantum Hall edge transport around graphene antidots
Veröffentlicht in Scientific reports
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