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Highly-crystalline 6 inch free-standing GaN observed using X-ray diffraction topography
Veröffentlicht in CrystEngComm
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Anisotropic mosaicity and lattice-plane twisting of an m -plane GaN homoepitaxial layer
Veröffentlicht in CrystEngComm
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Characterization of a 4-inch GaN wafer by X-ray diffraction topography
Veröffentlicht in CrystEngComm
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Hydrogen effect on Pt/Al2O3/GaN metal-oxide-semiconductor capacitors
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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Anisotropic mosaicity and lattice-plane twisting of an -plane GaN homoepitaxial layer
Veröffentlicht in CrystEngComm
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Influence of swallowing saliva repeatedly on oral moisture
Veröffentlicht in Journal of prosthodontic research
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