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Insights into radiation displacement defect in an insulated-gate bipolar transistor
Veröffentlicht in AIP advances
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Novel Program Scheme of Vertical NAND Flash Memory for Reduction of Z-Interference
Veröffentlicht in Micromachines (Basel)
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Overhang Saddle Fin Sidewall Structure for Highly Reliable DRAM Operation
Veröffentlicht in IEEE access
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Mitigation of Single Event Upset Effects in Nanosheet FET 6T SRAM Cell
Veröffentlicht in IEEE access
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Comprehensive Hammering and Parasitic BJT Effects in Vertically Stacked DRAM
Veröffentlicht in IEEE access
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