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Defect structure in selective area growth GaN pyramid on (111)Si substrate
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Population dynamics of localized biexcitons in AlxGa1−xN ternary alloys
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Biexciton luminescence from AlxGa1−xN epitaxial layers
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Metalorganic vapor phase epitaxy of thick InGaN on sapphire substrate
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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Low-dislocation density AlGaN layer by air-bridged lateral epitaxial growth
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
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