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Double Injection at p-n Junctions Based on AlxGa1−xAs
Veröffentlicht in Physica status solidi. A, Applied research
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High detectivity Pb0.8Sn0.2Te-PbSe0.08Te0.92 heterostructure photodiodes
Veröffentlicht in Infrared physics
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A new method for growing thin layers of solid solutions between IV-VI compounds
Veröffentlicht in Inorganic materials
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Photoelectric properties of Pb1?x?y Sn x Ge y Te:In epitaxial films
Veröffentlicht in Applied Physics A Solids and Surfaces
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High detectivity Pb0.8Sn0.2Te-PbSe0.008Te0.92 heterostructure photodiodes
Veröffentlicht in Infrared physics
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High sensitivity photoresistors based on homogeneous Pb1−x−ySnxGeyTe:In epitaxial films
Veröffentlicht in Infrared physics
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Double Injection at p–n Junctions Based on AlxGa1−xAs
Veröffentlicht in Physica status solidi. A, Applied research
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WAXS in-situ study of R-BAPB polyetherimid double-melting behavior
Veröffentlicht in Polymer testing
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Dynamics of fractional vortices in two-band superconductors
Veröffentlicht in Low temperature physics (Woodbury, N.Y.)
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HVPE fabrication of GaN sub-micro pillars on preliminarily treated Si(001) substrate
Veröffentlicht in Optical materials
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