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Properties of electronic traps at silicon/1-octadecene interfaces
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Study of silicon–organic interfaces by admittance spectroscopy
Veröffentlicht in Applied surface science
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Extraction of the capacitance of ultrathin high-K gate dielectrics
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Extraction of Trap Parameters for High-Κ Gate Stacks
Veröffentlicht in ECS transactions
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METAL-DEPENDENT INTERFACE STATES IN THIN MOS STRUCTURES
Veröffentlicht in Applied physics letters
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