Suchergebnisse - KANREI Nobuki

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SEMICONDUCTOR DEVICE von KANREI, Nobuki

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SEMICONDUCTOR DEVICE von Kanrei, Nobuki

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Oxide semiconductor, semiconductor device, semiconductor memory device, and solid-state imaging device von Momose, Hisayo, Kanrei, Nobuki

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SOLID STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME von KANREI NOBUKI

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OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE von MOMOSE Hisayo, KANREI Nobuki

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Dependence of annealing temperature on N-doped InGaZnO thin film properties von NAKANO, SHINTARO, MAEDA, YUYA, OHGURO, TATSUYA, MOMOSE, HISAYO, MOROOKA, TETSU, KANREI, NOBUKI, SUZUKI, KOJI

Veröffentlicht in JSAP Annual Meetings Extended Abstracts

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SEMICONDUCTOR DEVICE von NOBUKI KANREI

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Solid state imaging device and method for manufacturing the same von KANREI, NOBUKI

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Oxide semiconductor, semiconductor device, semiconductor memory device, and solid-state imaging device von HISAYO MOMOSE, NOBUKI KANREI

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THIN FILM TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR von NAKANO Shintaro, MAEDA Yuya, MOROOKA Tetsu, MOMOSE Hisayo, KANREI Nobuki, OHGURO Tatsuya, FUKASE Kazuya

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SEMICONDUCTOR DEVICE von OHGURO TATSUYA, KANREI NOBUKI, FUKASE KAZUYA, NAKANO SHINTARO, MOMOSE HISAYO, MOROOKA TETSU, MAEDA YUYA, TORIYAMA SHUICHI

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THIN FILM TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND THIN FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD von MOMOSE, HISAYO, NAKANO, SHINTARO, OHGURO, TATSUYA, MAEDA, YUYA, FUKASE, KAZUYA, KANREI, NOBUKI, MOROOKA, TETSU

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窒素添加InGaZnO膜の熱処理に対する電気特性評価 von 中野, 慎太郎, 前田, 雄也, 大黒, 達也, 百瀬, 寿代, 諸岡, 哲, 神例, 信貴, 鈴木, 幸治

Veröffentlicht in 応用物理学会学術講演会講演予稿集

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SEMICONDUCTOR DEVICE von KANREI, Nobuki

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Oxide semiconductor, semiconductor device, semiconductor memory device, and solid-state imaging device von Momose, Hisayo, Kanrei, Nobuki

SOLID STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME von KANREI NOBUKI

OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE von MOMOSE Hisayo, KANREI Nobuki

Dependence of annealing temperature on N-doped InGaZnO thin film properties von NAKANO, SHINTARO, MAEDA, YUYA, OHGURO, TATSUYA, MOMOSE, HISAYO, MOROOKA, TETSU, KANREI, NOBUKI, SUZUKI, KOJI

SEMICONDUCTOR DEVICE von NOBUKI KANREI

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Oxide semiconductor, semiconductor device, semiconductor memory device, and solid-state imaging device von HISAYO MOMOSE, NOBUKI KANREI

THIN FILM TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR von NAKANO Shintaro, MAEDA Yuya, MOROOKA Tetsu, MOMOSE Hisayo, KANREI Nobuki, OHGURO Tatsuya, FUKASE Kazuya

SEMICONDUCTOR DEVICE von OHGURO TATSUYA, KANREI NOBUKI, FUKASE KAZUYA, NAKANO SHINTARO, MOMOSE HISAYO, MOROOKA TETSU, MAEDA YUYA, TORIYAMA SHUICHI

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窒素添加InGaZnO膜の熱処理に対する電気特性評価 von 中野, 慎太郎, 前田, 雄也, 大黒, 達也, 百瀬, 寿代, 諸岡, 哲, 神例, 信貴, 鈴木, 幸治

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