Suchergebnisse - Künle, Matthias

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Si-rich a-SiC:H thin films: Structural and optical transformations during thermal annealing von Künle, Matthias, Kaltenbach, Thomas, Löper, Philipp, Hartel, Andreas, Janz, Stefan, Eibl, Oliver, Nickel, Klaus-Georg

Veröffentlicht in Thin solid films

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A Membrane Device for Substrate-Free Photovoltaic Characterization of Quantum Dot Based p-i-n Solar Cells von Löper, Philipp, Stüwe, David, Künle, Matthias, Bivour, Martin, Reichel, Christian, Neubauer, Rainer, Schnabel, Manuel, Hermle, Martin, Eibl, Oliver, Janz, Stefan, Zacharias, Margit, Glunz, Stefan W.

Veröffentlicht in Advanced materials (Weinheim)

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3

Annealing of nm-thin Si1−xCx/SiC multilayers von Künle, Matthias, Janz, Stefan, Nickel, Klaus Georg, Heidt, Anna, Luysberg, Martina, Eibl, Oliver

Veröffentlicht in Solar energy materials and solar cells

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4

SiC Epitaxial Growth in a 7x100mm/3x150mm Horizontal Hot-Wall Batch Reactor von Höchbauer, Tobias, Kern, Ronny, Künle, Matthias, Leitner, Mario

Veröffentlicht in Materials science forum

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5

Si and SiC nanocrystals in an amorphous SiC matrix: Formation and electrical properties von Gradmann, Rena, Loeper, Philipp, Künle, Matthias, Rothfelder, Marcel, Janz, Stefan, Hermle, Martin, Glunz, Stefan

Veröffentlicht in Physica status solidi. C

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6

Changes in chemical composition and nanostructure of SiC thin films prepared by PECVD during thermal annealing von Künle, Matthias, Janz, Stefan, Nickel, Klaus Georg, Eibl, Oliver

Veröffentlicht in Physica status solidi. A, Applications and materials science

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7

c-Si wafer-equivalent epitaxial thin-film solar cells on isolating substrates von Mitchell, Emily J., Lindekugel, Stefan, Künle, Matthias, Schillinger, Kai, Janz, Stefan, Reber, Stefan

Veröffentlicht in Solar energy materials and solar cells

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8

HERSTELLEN EINER HALBLEITERVORRICHTUNG DURCH EPITAXIE von Schlögl, Daniel, Weiß, Christoph, Baumgartl, Johannes, Lercher, Erwin, Künle, Matthias, Schulze, Hans-Joachim

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9

VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON HALBLEITERVORRICHTUNGEN, EINSCHLIESSLICH EINER ABSCHEIDUNG VON KRISTALLINEM SILIZIUM IN GRÄBEN von Baumgartl, Johannes, Künle, Matthias

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10

SUBSTRAT-PROZESSKAMMER UND PROZESSGASSTRÖMUNGSABLENKER ZUR VERWENDUNG IN DER PROZESSKAMMER von Huber, Thomas, Illemann, Christian, Male, Mathias, Fiedler, Olaf, Künle, Matthias

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11

VERFAHREN ZUR BILDUNG VERGRABENER ISOLIERUNGSGEBIETE von Dainese, Matteo, Schäffer, Carsten, Rupp, Roland, Moser, Andreas, Schulze, Hans-Joachim, Künle, Matthias

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12

Herstellen einer Halbleitervorrichtung durch Epitaxie von Schlögl, Daniel, Weiß, Christoph, Baumgartl, Johannes, Lercher, Erwin, Künle, Matthias, Schulze, Hans-Joachim

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13

BIPOLARTRANSISTOR MIT ISOLIERTEM GATE, AUFWEISEND ERSTE UND ZWEITE FELDSTOPPZONENBEREICHE, UND HERSTELLUNGSVERFAHREN von Spulber, Oana, Weiss, Christoph, Rösner, Wolfgang, Künle, Matthias, Sandow, Christian

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14

Verfahren zum Herstellen einer Leistungshalbleitervorrichtung mit einer reduzierten Sauerstoffkonzentration von Schlögl, Daniel, Baumgartl, Johannes, Lercher, Erwin, Schmidt, Gerhard, Künle, Matthias

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15

Halbleitervorrichtung, die einen vertikalen PN-Übergang zwischen einem Bodybereich und einem Driftbereich enthält von Hutzler, Michael, Siemieniec, Ralf, Künle, Matthias, Ehrentraut, Georg

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16

VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINES GRABENS UNTER VERWENDUNG VON EPITAKTISCHEM LATERALEM ÜBERWACHSEN UND TIEFE VERTIKALE GRABENSTRUKTUR von Baumgartl, Johannes, Joshi, Ravi Keshav, Haghofer, Andreas, Pölzl, Martin, Gruber, Christoph, Künle, Matthias, Ehrentraut, Georg, Steinbrenner, Jürgen

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17

Leistungshalbleitervorrichtung von Weiss, Christoph, Künle, Matthias, Schloegl, Daniel, Schulze, Hans-Joachim

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18

Halbleitervorrichtung, die einen vertikalen PN-Übergang zwischen einem Bodybereich und einem Driftbereich enthält von Hutzler, Michael, Siemieniec, Ralf, Künle, Matthias, Ehrentraut, Georg

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Verfahren zur Hardware-Codierung einer Steuereinrichtung, zugehörige Steuereinrichtung und elektrischer Stellantrieb von Kunle, Matthias, Sattler, Andreas, Winker, Martin

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20

VERGRABENE ISOLIERUNGSGEBIETE UND VERFAHREN ZU DEREN BILDUNG von Dainese, Matteo, Schäffer, Carsten, Rupp, Roland, Moser, Andreas, Schulze, Hans-Joachim, Künle, Matthias

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Si-rich a-SiC:H thin films: Structural and optical transformations during thermal annealing von Künle, Matthias, Kaltenbach, Thomas, Löper, Philipp, Hartel, Andreas, Janz, Stefan, Eibl, Oliver, Nickel, Klaus-Georg

Annealing of nm-thin Si1−xCx/SiC multilayers von Künle, Matthias, Janz, Stefan, Nickel, Klaus Georg, Heidt, Anna, Luysberg, Martina, Eibl, Oliver

SiC Epitaxial Growth in a 7x100mm/3x150mm Horizontal Hot-Wall Batch Reactor von Höchbauer, Tobias, Kern, Ronny, Künle, Matthias, Leitner, Mario

Si and SiC nanocrystals in an amorphous SiC matrix: Formation and electrical properties von Gradmann, Rena, Loeper, Philipp, Künle, Matthias, Rothfelder, Marcel, Janz, Stefan, Hermle, Martin, Glunz, Stefan

Changes in chemical composition and nanostructure of SiC thin films prepared by PECVD during thermal annealing von Künle, Matthias, Janz, Stefan, Nickel, Klaus Georg, Eibl, Oliver

c-Si wafer-equivalent epitaxial thin-film solar cells on isolating substrates von Mitchell, Emily J., Lindekugel, Stefan, Künle, Matthias, Schillinger, Kai, Janz, Stefan, Reber, Stefan

HERSTELLEN EINER HALBLEITERVORRICHTUNG DURCH EPITAXIE von Schlögl, Daniel, Weiß, Christoph, Baumgartl, Johannes, Lercher, Erwin, Künle, Matthias, Schulze, Hans-Joachim

VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON HALBLEITERVORRICHTUNGEN, EINSCHLIESSLICH EINER ABSCHEIDUNG VON KRISTALLINEM SILIZIUM IN GRÄBEN von Baumgartl, Johannes, Künle, Matthias

SUBSTRAT-PROZESSKAMMER UND PROZESSGASSTRÖMUNGSABLENKER ZUR VERWENDUNG IN DER PROZESSKAMMER von Huber, Thomas, Illemann, Christian, Male, Mathias, Fiedler, Olaf, Künle, Matthias

VERFAHREN ZUR BILDUNG VERGRABENER ISOLIERUNGSGEBIETE von Dainese, Matteo, Schäffer, Carsten, Rupp, Roland, Moser, Andreas, Schulze, Hans-Joachim, Künle, Matthias

Herstellen einer Halbleitervorrichtung durch Epitaxie von Schlögl, Daniel, Weiß, Christoph, Baumgartl, Johannes, Lercher, Erwin, Künle, Matthias, Schulze, Hans-Joachim

BIPOLARTRANSISTOR MIT ISOLIERTEM GATE, AUFWEISEND ERSTE UND ZWEITE FELDSTOPPZONENBEREICHE, UND HERSTELLUNGSVERFAHREN von Spulber, Oana, Weiss, Christoph, Rösner, Wolfgang, Künle, Matthias, Sandow, Christian

Verfahren zum Herstellen einer Leistungshalbleitervorrichtung mit einer reduzierten Sauerstoffkonzentration von Schlögl, Daniel, Baumgartl, Johannes, Lercher, Erwin, Schmidt, Gerhard, Künle, Matthias

Halbleitervorrichtung, die einen vertikalen PN-Übergang zwischen einem Bodybereich und einem Driftbereich enthält von Hutzler, Michael, Siemieniec, Ralf, Künle, Matthias, Ehrentraut, Georg

VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINES GRABENS UNTER VERWENDUNG VON EPITAKTISCHEM LATERALEM ÜBERWACHSEN UND TIEFE VERTIKALE GRABENSTRUKTUR von Baumgartl, Johannes, Joshi, Ravi Keshav, Haghofer, Andreas, Pölzl, Martin, Gruber, Christoph, Künle, Matthias, Ehrentraut, Georg, Steinbrenner, Jürgen

Leistungshalbleitervorrichtung von Weiss, Christoph, Künle, Matthias, Schloegl, Daniel, Schulze, Hans-Joachim

Halbleitervorrichtung, die einen vertikalen PN-Übergang zwischen einem Bodybereich und einem Driftbereich enthält von Hutzler, Michael, Siemieniec, Ralf, Künle, Matthias, Ehrentraut, Georg

Verfahren zur Hardware-Codierung einer Steuereinrichtung, zugehörige Steuereinrichtung und elektrischer Stellantrieb von Kunle, Matthias, Sattler, Andreas, Winker, Martin

VERGRABENE ISOLIERUNGSGEBIETE UND VERFAHREN ZU DEREN BILDUNG von Dainese, Matteo, Schäffer, Carsten, Rupp, Roland, Moser, Andreas, Schulze, Hans-Joachim, Künle, Matthias

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