Charge cross talk in sub-lithographically shrinked 32 nm Twin Flash™ memory cells von Beug, M.F., Knöfler, R., Ludwig, C., Hagenbeck, R., Müller, T., Riedel, S., Höhr, T., Sachse, J.-U., Nagel, N., Mikolajick, T., Küsters, K.-H.

Volltext

Defect formation in silicon at a mask edge during crystallization of an amorphous implantation layer von CERVA, H, KÜSTERS, K.-H

Volltext

Dislocation-related photoluminescence in silicon von Sauer, R., Weber, J., Stolz, J., Weber, E. R., K sters, K. -H., Alexander, H.

Volltext

Latest R&D results of Q.antum technology and consideration of symmetrical passivation schemes von Bordihn, S., Engelhart, P., Klenke, C., Suva, K., Kaden, T., Dahne, S., Stenzel, F., Zimmermann, G., Wendt, J., Mette, A., Trager, M., Schmidt, S., Fischer, M., Muller, J. W., Kusters, K. H.

Volltext

Influence of Base Resistivity on Solar Cell Parameters of Double-Side Contacted Rear Junction Solar Cells von Mertens, V., Ballmann, T., Lee, J.Y., Junghänel, M., Stenzel, F., Brandt, L., Schulze, A., Engelhart, P., Müller, J.W., Wawer, P., Küsters, K.H.

Volltext

Lithography for patterning trench contacts von Gutmann, A., Czech, G., Stelz, F.X., Küsters, K.-H.

Volltext

A stacked capacitor cell with a fully self-aligned contact process for high-density dynamic random access memories von KÜSTERS, K. H, SESSELMANN, W

Volltext

Highly scalable 90nm STI bounded twin flash cell with local interconnect von Nagel, N., Olligs, D., Polei, V., Parascandola, S., Boubekeur, H., Bach, L., Muller, T., Strassburg, M., Riedel, S., Kratzert, P., Caspary, D., Deppe, J., Wilier, J., Schulze, N., Mikolajick, T., Kusters, K.-H., Shappir, A., Redmard, E., Bloom, I., Eitan, B.

Volltext

Reduction of linewidth variation for the gate conductor level by lithography based on a new antireflective layer von Czech, G., Mader, L., Küsters, K.H., Küppers, P., Gutmann, A.

Volltext

An overview of twin-flash technology von Stein, E.G., Kusters, K.-H., Kamienski, V., Isler, M., Mikolajick, T., Ludwig, C., Schulze, N., Nagel, N., Riedel, S., Willer, J.

Volltext bestellen

Photoplastic effect in silicon von Küsters, K.H., Alexander, H.

Volltext

The Future of Charge Trapping Memories von Mikolajick, T., Specht, M., Nagel, N., Mueller, T., Riedel, S., Beug, F., Melde, T., Kusters, K.-H.

Volltext

Application of ion implantation in submicron CMOS processes von Küsters, K.H., Mühlhoff, H.M., Cerva, H.

Volltext

Reliability of 10 nm stacked insulator on polycrystalline silicon in planar and trench capacitors von VOLLERTSEN, R.-P, DO THANH, L, SICHART, K. V, KUÊSTERS, K. H, HIRSCHLER, J, KAMOLZ, M

Volltext

A New Twin Flash™ Cell for 2 and 4 Bit Operation at 63nm Feature Size von Nagel, N., Boubekeur, H., Heinrichsdorff, F., Bach, L., Polei, V., Gupta, J., Pritchard, D., Riedel, S., Strassburg, M., Deppe, J., Bewersdorff-Sarlette, U., Muller, T., Verhoeven, M., Lattard, L., Markert, M., Ruttkowski, E., Mikalo, R., Willer, J., Schulze, N., Ludwig, C., v. Kamienski, E.G. Stein, Mikolajick, T., Isler, M., Kusters, K.-H., Shappir, A., Shur, Y., Lusky, E., Eitan, B., Pissors, V., Sachse, J.-U., Manger, D., Caspary, D., Parascandola, S., Olligs, D.

Volltext

DRAM technology for 100NM and beyond von KÜSTERS, K. H, ALSMEIER, J, FAUL, J, LÜTZEN, J, ZELL, T

Volltext

Buried stacked capacitor cells for 16M and 64M DRAMS von Dietl, J, DoThanh, L, Kusters, K H, Kusztelan, L, Mulhoff, H M, Muller, W, Stelz, F X

Volltext bestellen

Electrical Properties of Ultra Thin Multilayer Dielectrics on Polysilicon von Hirschler, J., Thanh, L. Do, Kusters, K.H., Sichart, K. v.

Volltext bestellen

Stacked Capacitor in Trench Cell for 16M-DRAM von Kusters, K.H., DoThanh, L., Stelz, F.X., Kellner, W.-U., Muhlhoff, H.M., Muller, W.

Volltext bestellen

A Self Aligned Contact Process with Improved Surface Planarization von Kusters, K.H., Sesselmann, W., Melzner, H., Friesel, B.

Volltext bestellen