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    Fermi-level depinning in metal/Ge interface using oxygen plasma treatment

    Fermi-level depinning in metal/Ge interface using oxygen plasma treatment von Janardhanam, Vallivedu, Yun, Hyung-Joong, Jyothi, Inapagundla, Yuk, Shim-Hoon, Lee, Sung-Nam, Won, Jonghan, Choi, Chel-Jong

    Veröffentlicht in Applied surface science

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    Modification of Schottky barrier properties of Al/p-type Si Schottky rectifiers with graphene-oxide-doped poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate) interlayer

    Modification of Schottky barrier properties of Al/p-type Si Schottky rectifiers with graphene-oxide-doped poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate) interlayer von Janardhanam, Vallivedu, Jyothi, Inapagundla, Yuk, Shim-Hoon, Choi, Chel-Jong, Yun, Hyung-Joong, Won, Jonghan, Hong, Won-Gi, Lee, Sung-Nam, Rajagopal Reddy, Varra


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