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A 280-GHz 10-dBm Signal Source Based on InP HBT Technology
Veröffentlicht in IEEE microwave and wireless components letters
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168-195 GHz Power Amplifier With Output Power Larger Than 18 dBm in BiCMOS Technology
Veröffentlicht in IEEE access
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Two 320 GHz Signal Sources Based on SiGe HBT Technology
Veröffentlicht in IEEE microwave and wireless components letters
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High Performance Asymmetric Coupled Line Balun at Sub-THz Frequency
Veröffentlicht in Applied sciences
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A 248-262 GHz InP HBT VCO with Interesting Tuning Behavior
Veröffentlicht in IEEE microwave and wireless components letters
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SiGe 135-GHz amplifier with inductive positive feedback operating near fmax
Veröffentlicht in Electronics letters
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D-band Stacked Amplifiers based on SiGe BiCMOS Technology
Veröffentlicht in Journal of semiconductor technology and science
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