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Device Delay in GaN Transistors Under High Drain Bias Conditions
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Nanowire Channel InAlN/GaN HEMTs With High Linearity of g and f
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Nanowire Channel InAlN/GaN HEMTs With High Linearity of gm and fT
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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