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Growth of high quality Ge films on Si(111) using Sb as surfactant
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Er-doped edge emitting devices with a SiGe waveguide
Veröffentlicht in Journal of luminescence
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Optimization of growth conditions for strained Si/Si1-yCy structures
Veröffentlicht in Thin solid films
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Luminescence from Si-Si1-xGex/Si1-yCy-Si structures
Veröffentlicht in Journal of luminescence
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Studies of Er/F doped p-i-n Si light emitting diodes prepared by molecular beam epitaxy
Veröffentlicht in Physica scripta
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Optimization of growth conditions for strained Si/Si sub(1-y)C sub(y) structures
Veröffentlicht in Thin solid films
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Optimization of growth conditions for strained Si/Si 1− yC y structures
Veröffentlicht in Thin solid films
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Luminescence from Si-Si 1− xGe x/Si 1− yC y-Si structures
Veröffentlicht in Journal of luminescence
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