Rapid onset of strain relief by massive generation of misfit dislocations in Bi(111)/Si(001) heteroepitaxy von Meyer, D., Jnawali, G., Hattab, H., Horn-von Hoegen, M.

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Hot carrier transport limits the displacive excitation of coherent phonons in bismuth von Jnawali, G., Boschetto, D., Malard, L. M., Heinz, T. F., Sciaini, G., Thiemann, F., Payer, T., Kremeyer, L., Meyer zu Heringdorf, F.-J., Horn-von Hoegen, M.

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Growth temperature dependent graphene alignment on Ir(111) von Hattab, H., N'Diaye, A. T., Wall, D., Jnawali, G., Coraux, J., Busse, C., van Gastel, R., Poelsema, B., Michely, T., Meyer zu Heringdorf, F.-J., Horn-von Hoegen, M.

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In-situ high-resolution low energy electron diffraction study of strain relaxation in heteroepitaxy of Bi(111) on Si(001): Interplay of strain state, misfit dislocation array and l... von Hattab, H., Jnawali, G., Horn-von Hoegen, M.

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Manipulation of electronic transport in the Bi(111) surface state von Jnawali, G, Klein, C, Wagner, Th, Hattab, H, Zahl, P, Acharya, D P, Sutter, P, Lorke, A, Horn-von Hoegen, M

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Barrier-free subsurface incorporation of 3d metal atoms into Bi(111) films von Klein, C, Vollmers, N J, Gerstmann, U, Zahl, P, Lukermann, D, Jnawali, G, Pfnur, H, Tegenkamp, C, Sutter, P, Schmidt, W G, Horn-von Hoegen, M

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Epitaxial Bi(111) films on Si(001): Strain state, surface morphology, and defect structure von Hattab, H., Zubkov, E., Bernhart, A., Jnawali, G., Bobisch, C., Krenzer, B., Acet, M., Möller, R., Horn-von Hoegen, M.

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Lost in reciprocal space? Determination of the scattering condition in spot profile analysis low-energy electron diffraction von Klein, C., Nabbefeld, T., Hattab, H., Meyer, D., Jnawali, G., Kammler, M., zu Heringdorf, F.-J. Meyer, Golla-Franz, A., Müller, B. H., Schmidt, Th, Henzler, M., Horn-von Hoegen, M.

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Lattice-matching periodic array of misfit dislocations: Heteroepitaxy of Bi(111) on Si(001) von Jnawali, G., Hattab, H., Meyer zu Heringdorf, F.-J., Krenzer, B., Horn-von Hoegen, M.

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Nanoscale dislocation patterning in Bi(1 1 1)/Si(0 0 1) heteroepitaxy von Jnawali, G., Hattab, H., Bobisch, C.A., Bernhart, A., Zubkov, E., Möller, R., Horn-von Hoegen, M.

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Two-Dimensional Electron Transport and Scattering in Bi(111) Surface States von Jnawali, G., Wagner, Th, Hattab, H., Möller, R., Lorke, A., Hoegen, M. Horn-von

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Anisotropic scattering of surface state electrons at a point defect on Bi(111) von Cottin, M. C., Bobisch, C. A., Schaffert, J., Jnawali, G., Sonntag, A., Bihlmayer, G., Möller, R.

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Lattice accommodation of epitaxial Bi(111) films on Si(001) studied with SPA-LEED and AFM von Jnawali, G., Hattab, H., Krenzer, B., Horn von Hoegen, M.

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Epitaxial Growth of Bi(111) on Si(001) von Jnawali, G., Hattab, H., Bobisch, C. A., Bernhart, A., Zubkov, E., Deiter, C., Weisemoeller, T., Bertram, F., Wollschläger, J., Möller, R., Hoegen, M. Horn-von

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Erratum: Epitaxial Growth of Bi(111) on Si(001) [e-J. Surf. Sci. Nanotech. Vol. 7, pp. 441-447 (2009)] von Jnawali, G., Hattab, H., Bobisch, C. A., Bernhart, A., Krenzer, B., Zubkov, E., Deiter, C., Weisemoeller, T., Bertram, F., Wollschläger, J., Möller, R., Hoegen, M. Horn-von

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Anisotropic scattering of surface state electrons at a point defecton Bi(111) von Cottin, M. C., Bobisch, C. A., Schaffert, J., Jnawali, G., Sonntag, A., Bihlmayer, G., Möller, R.

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Homoepitaxial growth of Bi(111) von Jnawali, G., Hattab, H., Bobisch, C. A., Bernhart, A., Zubkov, E., Möller, R., Horn-von Hoegen, M.

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Manipulation of Electronic Transport in the Bi(111) Surface State von Jnawali, G., Klein, C., Wagner, Th, Hattab, H., Zahl, P., Acharya, D. P., Sutter, P., Lorke, A., Horn-von Hoegen, M.

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Nucleation and initial growth in the semimetallic homoepitaxial system of Bi on Bi(111) von Jnawali, G., Wagner, Th, Hattab, H., Möller, R., Horn-von Hoegen, M.

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Barrier-free subsurface incorporation of 3 d metal atoms into Bi(111) films von Klein, C., Vollmers, N. J., Gerstmann, U., Zahl, P., Lükermann, D., Jnawali, G., Pfnür, H., Tegenkamp, C., Sutter, P., Schmidt, W. G., Horn-von Hoegen, M.

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