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Carbon impurities and the yellow luminescence in GaN
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Quantum computing with defects
Veröffentlicht in Proceedings of the National Academy of Sciences - PNAS
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Oxide interfaces for novel electronic applications
Veröffentlicht in New journal of physics
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Hydrogenated cation vacancies in semiconducting oxides
Veröffentlicht in Journal of physics. Condensed matter
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Mechanism of Visible-Light Photocatalysis in Nitrogen-Doped TiO2
Veröffentlicht in Advanced materials (Weinheim)
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Donor defects and small polarons on the TiO2(110) surface
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Effects of strain on the electron effective mass in GaN and AlN
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Dual behavior of excess electrons in rutile TiO2
Veröffentlicht in Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters
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Dangling-bond defects and hydrogen passivation in germanium
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Controlling the conductivity of InN
Veröffentlicht in Physica status solidi. A, Applications and materials science
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Acceptor doping in the proton conductor SrZrO3
Veröffentlicht in Physical chemistry chemical physics : PCCP
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The role of oxygen-related defects and hydrogen impurities in HfO2 and ZrO2
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
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