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    Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a silicon-germanium layer beneath a portion of the gate

    Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a silicon-germanium layer beneath a portion of the gate von Holzmüller, Felix, Baars, Peter, Jain, Ruchil K

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    EXTENDED-DRAIN METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES WITH A SILICON-GERMANIUM LAYER BENEATH A PORTION OF THE GATE

    EXTENDED-DRAIN METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES WITH A SILICON-GERMANIUM LAYER BENEATH A PORTION OF THE GATE von Holzmüller, Felix, Baars, Peter, Jain, Ruchil K

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    Structure and method to provide conductive field plate over gate structure

    Structure and method to provide conductive field plate over gate structure von Baars, Peter, Tailor, Ketankumar H, Jain, Ruchil K

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    STRUCTURE AND METHOD TO PROVIDE CONDUCTIVE FIELD PLATE OVER GATE STRUCTURE

    STRUCTURE AND METHOD TO PROVIDE CONDUCTIVE FIELD PLATE OVER GATE STRUCTURE von Baars, Peter, Tailor, Ketankumar H, Jain, Ruchil K

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    Metall-Oxid-Halbleiter-Vorrichtungen mit Drain-Extension mit einer Silizium-Germanium-Schicht unter einem Abschnitt des Gates

    Metall-Oxid-Halbleiter-Vorrichtungen mit Drain-Extension mit einer Silizium-Germanium-Schicht unter einem Abschnitt des Gates von Holzmüller, Felix, Baars, Peter, Jain, Ruchil K

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