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Reliability of p-GaN Gate HEMTs in Reverse Conduction
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Reliability of p-GaN Gate HEMTs in Reverse Conduction
Veröffentlicht in IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
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Characterization of through-silicon vias using laser terahertz emission microscopy
Veröffentlicht in Nature electronics
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