-
1
-
2
-
3
Double-layered vertically integrated amorphous-In2Ga2ZnO7 thin-film transistor
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
4
-
5
-
6
Advanced poly-Si TFT with fin-like channels by ELA
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
7
-
8
-
9
-
10
-
11
-
12
-
13
-
14
Study of HfO2 High-k Gate Oxide for Low-Temperature Poly-Si TFT
Veröffentlicht in Journal of the Korean Physical Society
VolltextArtikel -
15
-
16
-
17
-
18
-
19
-
20