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Local bandgap narrowing in the forming state of threshold switching materials
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
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Coalescence Growth of Dislocation-Free GaN Crystals by the Na-Flux Method
Veröffentlicht in Applied physics express
VolltextArtikel -
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Homoepitaxial growth of GaN crystals by Na-flux dipping method
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
VolltextArtikel -
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