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    Effects of GaAs Surface Treatment Processes on Photocurrent Properties of Cs/p-GaAs (001) Fabricated Using a MOCVD–NEA Multichamber System

    Effects of GaAs Surface Treatment Processes on Photocurrent Properties of Cs/p-GaAs (001) Fabricated Using a MOCVD–NEA Multichamber System von Fuchi, Shingo, Sato, Takayoshi, Idei, Mikiya, Akiyama, Yuuki, Nanai, Yasushi

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    Photocurrent properties of InGaAsP using MOCVD-NEA multi-chamber system -Effects of semiconductor materials

    Photocurrent properties of InGaAsP using MOCVD-NEA multi-chamber system -Effects of semiconductor materials von Idei, Mikiya, Murata, Fumihiro, Yamashita, Kaito, Nanai, Yasushi, Fuchi, Shingo


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    Effects of electron affinity on quantum efficiency of InGaAsP-based photocathode

    Effects of electron affinity on quantum efficiency of InGaAsP-based photocathode von Idei, Mikiya, Murata, Fumihiro, Yamashita, Kaito, Nanai, Yasushi, Koh, Shinji, Fuchi, Shingo


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    Effects of surface conditions on photocurrent properties of Cs/GaAs substrates

    Effects of surface conditions on photocurrent properties of Cs/GaAs substrates von Sato, Takayoshi, Idei, Mikiya, Akiyama, Yuuki, Nanai, Yasushi, Fuchi, Shingo


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    InGaAsP系フォトカソードの量子効率に対する電子親和力の影響 von 出射, 幹也, 村田, 文浩, 山下, 海人, 七井, 靖, 黄, 晋二, 渕, 真悟


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