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Simulation of Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistors
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Ultralow-Voltage Bilayer Graphene Tunnel FET
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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A Sub-1-V, 10 ppm/ ^C, Nanopower Voltage Reference Generator
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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On the Possibility of Tunable-Gap Bilayer Graphene FET
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Characterization of Failures in an Operational IP Backbone Network
Veröffentlicht in IEEE/ACM transactions on networking
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Gate-Tunable Atomically Thin Lateral MoS2 Schottky Junction Patterned by Electron Beam
Veröffentlicht in Nano letters
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Modeling of Electron Devices Based on 2-D Materials
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Recessive truncating titin gene, TTN, mutations presenting as centronuclear myopathy
Veröffentlicht in Neurology
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A Semianalytical Model of Bilayer-Graphene Field-Effect Transistor
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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