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Robust Q-Band InP- and GaN-HEMT Low Noise Amplifiers
Veröffentlicht in IEICE Transactions on Electronics
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300-GHz Amplifier in 75-nm InP HEMT Technology
Veröffentlicht in IEICE Transactions on Electronics
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Digital Annealer and its Applications
Veröffentlicht in JSAP Annual Meetings Extended Abstracts
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Digital Annealer and its applications
Veröffentlicht in JSAP Annual Meetings Extended Abstracts
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Development of High-Efficiency GaN-HEMT Amplifier for Mobile WiMAX
Veröffentlicht in Fujitsu scientific & technical journal
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Effect of Post-annealing on Sputter-deposited SnS2 Film
Veröffentlicht in JSAP Annual Meetings Extended Abstracts
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SnS2 growth and its gas-sensing application
Veröffentlicht in JSAP Annual Meetings Extended Abstracts
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Effect of Substrate Crystallinity on CVD Grown MoS2
Veröffentlicht in JSAP Annual Meetings Extended Abstracts
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