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MgO /p- GaN enhancement mode metal-oxide semiconductor field-effect transistors
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Characterization of metastable defects in hydrogen-implanted n-type silicon
Veröffentlicht in EPJ. Applied physics (Print)
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Effect of Al content on the microstructure in GaN grown on Si by MOVPE
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
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Effects of uni-axial mechanical stress on IGBT characteristics
Veröffentlicht in Microelectronics and reliability
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GaN enhancement mode metal-oxide semiconductor field effect transistors
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
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Low loss static induction devices (transistors and thyristors)
Veröffentlicht in Microelectronics and reliability
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