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Air-bridged lateral epitaxial overgrowth of GaN thin films
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
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Population dynamics of localized biexcitons in AlxGa1−xN ternary alloys
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
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Biexciton luminescence from AlxGa1−xN epitaxial layers
Veröffentlicht in Applied physics letters
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High-quality GaN films obtained by air-bridged lateral epitaxial growth
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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