Rezension von: Matthias Emil Ilg: Constantia et Fortitudo. Der Kult des kapuzinischen Blutzeugen Fidelis von Sigmaringen zwischen „Pietas Austriaca“ und „Ecclesia Triumphans von Schmider, Christoph, Ilg, Matthias Emil

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Morphology transformations of GaAs high-index surfaces during the initial stages of strained-layer overgrowth von Ilg, Matthias, Nötzel, Richard, Ploog, Klaus H., Hohenstein, Matthias

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Excitonic properties of isolated nanometer-sized InAs islands in a GaAs matrix von Alonso, M. I., Ilg, Matthias, Ploog, K., Trampert, A.

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Investigation of InAs submonolayer and monolayer structures on GaAs(100) and (311) substrates von ILG, M, ALONSO, M. I, LEHMANN, A, PLOOG, K. H, HOHENSTEIN, M

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Growth of [211]-oriented InAs/GaAs heterostructures von Ilg, Matthias, Brandt, Oliver, Nötzel, Richard, Ploog, Klaus

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Process to improve dishing resistance von ILG, MATTHIAS, HUCKELS, KAI

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Dual work function CMOS device von ILG, MATTHIAS

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Dual work function CMOS device von ILG MATTHIAS

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Dual work function CMOS device von Ilg, Matthias

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Dual work function CMOS device von ILG, MATTHIAS

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Zuverlässige Polycid Gatterstappelung mit reduzierten Schichtwiderstand von ILG, MATTHIAS, SCHREMS, MARTIN

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Dual work function CMOS device von ILG, MATTHIAS

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Improved gapfill of semiconductor structures using doped silicate glass von ILG, MATTHIAS, KIRCHHOFF, MARKUS

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Reliable polycide gate stack with reduced sheet resistance von ILG, MATTHIAS, SCHREMS, MARTIN

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Synthesis and characterization of InAs multiple quantum wells in a (111)B GaAs matrix von ILG, M, PLOOG, K. H

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InAs submonolayer and monolayer structures on GaAs(100) and (311) substrates von Ilg, Matthias, Alonso, M Isabel, Lehman, Arno, Ploog, Klaus H

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Deposition of carbon into nitride layer for improved selectivity of oxide to nitride etchrate for self aligned contact etching von ILG, MATTHIAS, SPULER, BRUNO, GUTSCHE, MARTIN, BERGNER, WOLFGANG, WITTMANN, JUERGEN

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Improved gapfill of semiconductor structure using doped silicate glasses von MATTHIAS ILG, MARKUS KIRCHHOFF

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Formation of non-homogenous device layer using an inert gas shield von ILG, MATTHIAS, WERNER, CHRISTOPH

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Lateral piezoelectric fields—a universal feature of strained III–V and II–VI semiconductor heterostructures von Ilg, Matthias, Heberle, Albert, Ploog, Klaus H.

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