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Temperature dependent analytical model for current–voltage characteristics of AlGaN/GaN power HEMT
von
Huque, M.A.
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Eliza, S.A.
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Rahman, T.
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Huq, H.F.
,
Islam, S.K.
Veröffentlicht in
Solid-state electronics
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Analytical model of Carbon Nanotube Field Effect Transistors for NEMS applications
von
Polash, B.
,
Huq, H.F.
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High performance CMOS converter design in TSMC 0.18-/spl mu/m process
von
Islam, N.
,
Islam, S.K.
,
Huq, H.F.
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Self-aligned AlGaN/GaN MODFET with liquid phase deposited oxide gate for microwave power applications
von
Huq, H.F.
,
Islam, S.K.
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DC Characterization and Validation of the Improved Analytical Model of AlGaN/GaN HEMT
von
Huq, H.F.
,
Islam, S.K.
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6
Analysis of physics based model of AlGaN/GaN power HEMT with temperature compensation
von
Huq, H.F.
,
Polash, B.
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7
Analysis of Temperature Model on Device Characteristics for AlGaN/GaN MODFET for High Power Electronics
von
Huq, H.F.
,
Alam, M.T.
,
Islam, S.K.
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8
Effect of the aspect ratio in AlGaN/GaN HEMT's DC and small signal parameters
von
Huque, M.A.
,
Eliza, S.A.
,
Rahman, T.
,
Huq, H.F.
,
Islam, S.K.
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Ieee Electronic Library (Iel) Conference Proceedings
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Ieee Power & Energy Library
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Ieee Electronic Library (Iel)
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Sciencedirect Journals (5 Years Ago - Present)
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Sd College Edition Journals Collection - Physical Sciences [Scps]
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