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Abnormal Increment Substrate Current After Hot Carrier Stress in n-FinFET
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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High-k shallow traps observed by charge pumping with varying discharging times
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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On the Origin of Gate-Induced Floating-Body Effect in PD SOI p-MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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