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SiC Double-Trench MOSFETs With Embedded MOS-Channel Diode
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
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Single-Event Effects in SiC Double-Trench MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on nuclear science
VolltextArtikel -
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Gate Oxide Damage of SiC MOSFETs Induced by Heavy-Ion Strike
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
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