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High-dielectric constant AlON prepared by RF gas-timing sputtering for high capacitance density
von
Poyai, A.
,
Bunjongpru, W.
,
Klunngien, N.
,
Porntheerapat, S.
,
Hruanan, C.
,
Sopitpan, S.
,
Nukeaw, J.
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Materials science in semiconductor processing
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2
Improving Sensitivity of p-n Junction Temperature Sensor by Carrier Lifetime Modification
von
Ratanaudomphisut, E.
,
Poyai, Amporn
,
Klunngien, N.
,
Hruanan, C.
,
Supadech, J.
,
Sophitpan, S.
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High-dielectric constant AION prepared by RF gas-timing sputtering for high capacitance density
von
POYAI, A
,
BUNJONGPRU, W
,
KLUNNGIEN, N
,
PORNTHEERAPAT, S
,
HRUANAN, C
,
SOPITPAN, S
,
NUKEAW, J
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4
Effect of cobalt silicide to the sentivity of p-n junction temperature sensor
von
Poyai, A.
,
Ratanaudomphisut, E.
,
Supadech, J.
,
Klunngien, N.
,
Hruanan, C.
,
Sopitpan, S.
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