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Smoothing of Si{sub 0.7}Ge{sub 0.3} virtual substrates by gas-cluster-ion beam
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Unipolar Switching Behaviors of RTO \hbox RRAM
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Highly Strained 1.22- \mu m InGaAs Lasers Grown by MOVPE
Veröffentlicht in IEEE photonics technology letters
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Highly Strained 1.22-[mu] m InGaAs Lasers Grown by MOVPE
Veröffentlicht in IEEE photonics technology letters
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Improving radiation hardness of EEPROM/flash cell by N2O annealing
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Improving radiation hardness of EEPROM/flash cell by N 2 O annealing
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Improved flash cell performance by N/sub 2/O annealing of interpoly oxide
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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