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Strong evidence for diffusion of point defects in GaInN/GaN quantum well structures
Veröffentlicht in AIP advances
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Indium incorporation into InGaN: The role of the adlayer
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Magnetic ground-state properties of noncentrosymmetric CePt3B1-xSix
Veröffentlicht in Physical review. B
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The magnetic ground state properties of non-centrosymmetric CePt\(_3\)B\(_{1-x}\)Si\(_x\)
Veröffentlicht in arXiv.org
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