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6–18 GHz, 26 W GaN HEMT compact power-combined non-uniform distributed amplifier
Veröffentlicht in Electronics letters
VolltextArtikel -
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Ka-Band MMIC Using AlGaN/GaN-on-Si With Recessed High- Dual MIS Structure
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
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