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Ultra-high voltage 4H-SiC gate turn-off thyristor for low switching time
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Optically controlled SiCGe/SiC heterojunction transistor with charge-compensation layer
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Modeling of 4H-SiC multi-floating-junction Schottky barrier diode
Veröffentlicht in Chinese physics B
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