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GaN-Based LEDs With a Chirped Multiquantum Barrier Structure
Veröffentlicht in IEEE photonics technology letters
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GaN-based LEDs with Ar plasma treatment
Veröffentlicht in Materials science in semiconductor processing
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Nitride-Based LEDs With Phosphoric Acid Etched Undercut Sidewalls
Veröffentlicht in IEEE photonics technology letters
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GaN-Based LEDs With Rough Surface and Selective KOH Etching
Veröffentlicht in Journal of display technology
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Effect of thickness variation in high-efficiency InGaN/GaN light-emitting diodes
Veröffentlicht in Applied physics letters
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The first limb of Barnes v Addy : a taxonomy in tatters
Veröffentlicht in QUT law review
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