Formation of light-trapping structure using Ge islands grown by gas-source molecular beam epitaxy as etching masks von Ota, Yushi, Hombe, Atsushi, Nezasa, Ryota, Yurasov, Dmitry, Novikov, Alexey, Shaleev, Mikhail, Baidakova, Natalie, Morozova, Elena, Kurokawa, Yasuyoshi, Usami, Noritaka

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AlGaN as an electron transport layer for wide-bandgap perovskite solar cells von Hombe, Atsushi, Saiki, Shinya, Mori, Tetsuya, Saito, Yuji, Tanimoto, Tsutomu

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Fabrication of light-trapping structure by selective etching of thin Si substrates masked with a Ge dot layer and nanomasks von Hombe, Atsushi, Kurokawa, Yasuyoshi, Gotoh, Kazuhiro, Akagi, Seimei, Yamamoto, Yuzo, Yurasov, Dmitry, Novikov, Alexey, Usami, Noritaka

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Fabrication of light trapping structure by selectively etching thin Si substrates masked a Ge dot layer von Hombe, Atsushi, Kurokawa, Yasuyoshi, Akagi, Seimei, Yamamoto, Yuzo, Usami, Noritaka

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Novel light trapping structure by alkaline etching using a Ge dot mask for crystalline Si solar cells von Hombe, Atsushi, Kurokawa, Yasuyoshi, Usami, Noritaka

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Surface morphology of light trapping structure using a Ge dot mask grown by solid source MBE for crystalline Si solar cells von Hombe, Atsushi, Kurokawa, Yasuyoshi, Yuasov, Dmitrij, Novikov, Alexey, Usami, Noritaka

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Fabrication of light trapping structure using Ge island with high coverage grown by gas source molecular beam epitaxy as an etching mask von Ota, Yushi, Hombe, Atsushi, Gotoh, Kazuhiro, Kurokawa, Yasuyoshi, Noritaka, Usami, Yurasov, Domitorij, Novikov, Alexey, Shaleev, Mikhail

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ガスソース分子線エピタキシー法による高被覆率Geドットマスクを用いた光閉じ込め構造の作製 von 太田, 湧士, 本部, 惇史, 後藤, 和泰, 黒川, 康良, 宇佐美, 徳隆, ドミトリー, ユラソフ, アレクシー, ナビコフ, ミカエル, シャリーブ

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単層Geドットマスクを用いた選択エッチングによる結晶Si太陽電池用光閉じ込め構造の薄型基板への作製 von 本部, 惇史, 黒川, 康良, 赤木, 成明, 山本, 裕三, 宇佐美, 徳隆

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単層Geドットマスクを用いたアルカリエッチングによる結晶Si太陽電池用新規光閉じ込め構造 von 本部, 惇史, 黒川, 康良, 宇佐美, 徳隆

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固体ソースMBE法で作製した単層Geドットマスクを用いた結晶Si太陽電池用光閉じ込め構造の表面形態 von 本部, 惇史, 黒川, 康良, Yuasov, Dmitrij, Novikov, Alexey, 宇佐美, 徳隆

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