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Facet-Free Si Selective Epitaxial Growth Adaptable to Elevated Source/Drain MOSFETs with Narrow Shallow Trench Isolation
von
Miyano, Kiyotaka
,
Mizushima, Ichiro
,
Hokazono, KazuyaOhuchi
,
Tsunashima, Yoshitaka
Veröffentlicht in
Japanese Journal of Applied Physics
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Institute Of Physics (Iop) Journals - Heal-Link
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