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1
Impact of geometrical scaling on parasitic pnp bipolar transistor in N-well, 0.25 μm CMOS devices and its effect on latchup immunity
von
Leong, Kam-Chew
,
Lin, Po-Ching
,
Ho, Hok-Min
,
Gan, Chock-Ming
,
Chan, Lap
Veröffentlicht in
Microelectronics and reliability
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2
Experimental Study of Si3 N 4 Viscosity for Calibration of Stress‐Dependent Models of Silicon Oxidation
von
Loiko, Konstantin V.
,
Peidous, Igor V.
,
Zu, Yue
,
Ho, Hok‐Min
Veröffentlicht in
Journal of the Electrochemical Society
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3
Experimental study of Si3N4 viscosity for calibration of stress-dependent models of silicon oxidation
von
LOIKO, K. V
,
PEIDOUS, I. V
,
YUE ZU
,
HO, H.-M
Veröffentlicht in
Journal of the Electrochemical Society
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Contact etch stop film
von
Ho, Hok Min
,
Ma, Ching Tien
,
Song, Woei Ji
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Contact etch stop film
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Ho, Hok Min
,
Ma, Ching Tien
,
Song, Woei Ji
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6
Methodology for ULSI LOCOS isolation built-in reliability analysis
von
Loiko, K.V.
,
Peidous, I.V.
,
Hok-Min Ho
,
Quek, E.K.B.
,
Lim, D.H.Y.
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Tagungsbericht
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Contact etch stop film
von
HO HOK MIN
,
MA CHING TIEN
,
SONG WOEI JI
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Patent
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8
NOVEL CONTACT ETCH STOP FILM
von
HO HOK MIN
,
MA CHING TIEN
,
SONG WOEI JI
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Patent
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9
Contact etch stop film
von
HO HOK MIN
,
MA CHING TIEN
,
SONG WOEI JI
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10
Metal Oxide Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same
von
LI YU
,
YE HAOHUA
,
HO HOK MIN
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11
NOVEL CONTACT ETCH STOP FILM
von
HO HOK MIN
,
MA CHING TIEN
,
SONG WOEI JI
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12
METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
von
YE HAOHUA
,
HO HOK MIN
,
LL YU
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13
Method of process integration for high voltage and mixed signal technologies
von
SHIH, WONGNG
,
HSU, KEVIN
,
HO, HOK-MIN
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14
Fingerprints and age models for widespread New Zealand tephra marker beds erupted since 30,000 years ago: a framework for NZ-INTIMATE
von
Lowe, David J.
,
Shane, Phil A.R.
,
Alloway, Brent V.
,
Newnham, Rewi M.
Veröffentlicht in
Quaternary science reviews
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