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    Nickel-Silicided Schottky Junction CMOS Transistors With Gate-All-Around Nanowire Channels

    Nickel-Silicided Schottky Junction CMOS Transistors With Gate-All-Around Nanowire Channels von Tan, E.J., Pey, K.L., Singh, N., Lo, G.Q., Chi, D.Z., Chin, Y.K., Tang, L.J., Lee, P.S., Ho, C.K.F.

    Veröffentlicht in IEEE electron device letters

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    Arrayed Si/SiGe Nanowire Heterostructure Formation via Au-catalyzed Wet Chemical Etching Method

    Arrayed Si/SiGe Nanowire Heterostructure Formation via Au-catalyzed Wet Chemical Etching Method von Wang, Xiaodong, Pey, K.L., Choi, W.K., Ho, C.K.F., Fitzgerald, Eugene A., Antoniadis, D.


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    Arrayed Si/SiGe Nanowire Heterostructure Formation via Au-catalyzed Wet Chemical Etching Method

    Arrayed Si/SiGe Nanowire Heterostructure Formation via Au-catalyzed Wet Chemical Etching Method von Wang, Xiaodong, Pey, K.L., Choi, W.K., Ho, C.K.F., Fitzgerald, Eugene A., Antoniadis, D.


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    Methodology to design reconfigurable architecture for acoustic algorithms

    Methodology to design reconfigurable architecture for acoustic algorithms von Chun Hok Ho, Yiu, C.K.F.


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