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Electrical characteristics of metal–insulator–semiconductor and metal–insulator–semiconductor–insulator–metal capacitors under different high-k gate dielectrics investigated in the...
von
HLALI, SLAH
,
HIZEM, NEILA
,
KALBOUSSI, ADEL
Veröffentlicht in
Bulletin of materials science
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2
Effect of interface traps for ultra-thin high-k gate dielectric based MIS devices on the capacitance-voltage characteristics
von
Hlali, Slah
,
Hizem, Neila
,
Militaru, Liviu
,
Kalboussi, Adel
,
Souifi, Abdelkader
Veröffentlicht in
Microelectronics and reliability
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3
High temperature and voltage dependent electrical and dielectric properties of TiN/Al2O3/p-Si MIS structure
von
Hlali, Slah
,
Farji, Abdelaali
,
Hizem, Neila
,
Militaru, Liviu
,
Kalboussi, Adel
,
Souifi, Abdelkader
Veröffentlicht in
Journal of alloys and compounds
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4
High-k dielectric materials for the gate oxide of a MIS capacitor: effect of interface states on the C–V characteristics
von
Hlali, Slah
,
Hizem, Neila
,
Kalboussi, Adel
Veröffentlicht in
Journal of computational electronics
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5
Charge density at the Al{sub 2}O{sub 3}/Si interface in Metal–lnsulator–Semiconductor devices: Semiclassical and quantum mechanical descriptions
von
Hlali, Slah
,
Hizem, Neila
,
Kalboussi, Adel
Veröffentlicht in
Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Artikel
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6
Charge Density at the [Al.sub.2][O.sub.3]/Si Interface in Metal--Insulator--Semiconductor Devices: Semiclassical and Quantum Mechanical Descriptions
von
Hlali, Slah
,
Hizem, Neila
,
Kalboussi, Adel
Veröffentlicht in
Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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7
Charge density at the Al2O3/Si interface in Metal–lnsulator–Semiconductor devices: Semiclassical and quantum mechanical descriptions
von
Hlali, Slah
,
Hizem, Neila
,
Kalboussi, Adel
Veröffentlicht in
Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Artikel
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