Analysis of an AlGaN/AlN Super-Lattice Buffer Concept for 650-V Low-Dispersion and High-Reliability GaN HEMTs von Heuken, L., Kortemeyer, M., Ottaviani, A., Schroder, M., Alomari, M., Fahle, D., Marx, M., Heuken, M., Kalisch, H., Vescan, A., Burghartz, J. N.

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Semi-polar {1   0 1} blue and green InGaN/GaN light-emitting diodes on micro-stripe patterned Si (1 0 0) von Reuters, B, Strate, J, Wille, A, Marx, M, Lükens, G, Heuken, L, Heuken, M, Kalisch, H, Vescan, A

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Semi-polar {1 $\mathbf{\bar{1}}$   0 1} blue and green InGaN/GaN light-emitting diodes on micro-stripe patterned Si (1 0 0) von Reuters, B, Strate, J, Wille, A, Marx, M, Lükens, G, Heuken, L, Heuken, M, Kalisch, H, Vescan, A

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Influence of stress on structural properties of AlGaN/GaN high electron mobility transistor layers grown on 150 mm diameter Si (111) substrate von Liu, H. F., Dolmanan, S. B., Zhang, L., Chua, S. J., Chi, D. Z., Heuken, M., Tripathy, S.

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Study on quaternary AlInGaN/GaN HFETs grown on sapphire substrates von Ketteniss, N, Khoshroo, L Rahimzadeh, Eickelkamp, M, Heuken, M, Kalisch, H, Jansen, R H, Vescan, A

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Dielectric function and optical properties of quaternary AlInGaN alloys von Sakalauskas, E., Reuters, B., Khoshroo, L. Rahimzadeh, Kalisch, H., Heuken, M., Vescan, A., Röppischer, M., Cobet, C., Gobsch, G., Goldhahn, R.

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GaN heterostructures with diamond and graphene von Pécz, B, Tóth, L, Tsiakatouras, G, Adikimenakis, A, Kovács, A, Duchamp, M, Dunin-Borkowski, R E, Yakimova, R, Neumann, P L, Behmenburg, H, Foltynski, B, Giesen, C, Heuken, M, Georgakilas, A

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Electrical properties of thermally oxidized AlInN/AlN/GaN-based metal oxide semiconductor hetero field effect transistors von Eickelkamp, M., Weingarten, M., Rahimzadeh Khoshroo, L., Ketteniss, N., Behmenburg, H., Heuken, M., Donoval, D., Chvála, A., Kordoš, P., Kalisch, H., Vescan, A.

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On the anisotropic wafer curvature of GaN-based heterostructures on Si(1 1 0) substrates grown by MOVPE von Mauder, C., Booker, I.D., Fahle, D., Boukiour, H., Behmenburg, H., Rahimzadeh Khoshroo, L., Woitok, J.F., Vescan, A., Heuken, M., Kalisch, H., Jansen, R.H.

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Development of m-plane GaN anisotropic film properties during MOVPE growth on LiAlO2 substrates von MAUDER, C, REUTERS, B, RAHIMZADEH KHOSHROO, L, RZHEUTSKII, M. V, LUTSENKO, E. V, YABLONSKII, G. P, WOITOK, J. F, HEUKEN, M, KALISCH, H, JANSEN, R. H

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Optical characteristics of m-plane InGaN/GaN multiple quantum well grown on LiAlO2 (10 0) by MOVPE von HANG, D. R, CHOU, Mitch M. C, LIUWEN CHANG, LIN, J. L, HEUKEN, M

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MOCVD indium sulphide for application as a buffer layer in CIGS solar cells von Spiering, S., Bürkert, L., Hariskos, D., Powalla, M., Dimmler, B., Giesen, C., Heuken, M.

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Reactor dependent starting transients of doping profiles in MOVPE grown GaN von Köhler, K., Gutt, R., Müller, S., Wiegert, J., Menner, H.P., Kirste, L., Protzmann, H., Heuken, M.

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Dislocation density assessment via X-ray GaN rocking curve scans von Booker, I., Rahimzadeh Khoshroo, L., Woitok, J. F., Kaganer, V., Mauder, C., Behmenburg, H., Gruis, J., Heuken, M., Kalisch, H., Jansen, R. H.

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Photoluminescence and Raman study of compensation effects in Mg-doped GaN epilayers von Eckey, L., von Gfug, U., Holst, J., Hoffmann, A., Kaschner, A., Siegle, H., Thomsen, C., Schineller, B., Heime, K., Heuken, M., Schön, O., Beccard, R.

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Influence of thermal annealing on photoluminescence and structural properties of N, N′-diphenyl- N, N′-bis(1-naphthylphenyl)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (α-NPD) organic thin films... von Osipov, K.A., Pavlovskii, V.N., Lutsenko, E.V., Gurskii, A.L., Yablonskii, G.P., Hartmann, S., Janssen, A., Johannes, H.-H., Caspary, R., Kowalsky, W., Meyer, N., Gersdorff, M., Heuken, M., van Gemmern, P., Zimmermann, C., Jessen, F., Kalisch, H., Jansen, R.H.

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Graphoepitaxy of High‐Quality GaN Layers on Graphene/6H–SiC von Kovács, András, Duchamp, Martial, Dunin‐Borkowski, Rafal E., Yakimova, Rositza, Neumann, Péter L., Behmenburg, Hannes, Foltynski, Bartosz, Giesen, Cristoph, Heuken, Michael, Pécz, Béla

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In-situ monitoring and analysis of GaSb(100) substrate deoxidation von Möller, K., Töben, L., Kollonitsch, Z., Giesen, Ch, Heuken, M., Willig, F., Hannappel, T.

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Quaternary nitride heterostructure field effect transistors von Rahimzadeh Khoshroo, L., Ketteniss, N., Mauder, C., Behmenburg, H., Woitok, J. F., Booker, I., Gruis, J., Heuken, M., Vescan, A., Kalisch, H., Jansen, R. H.

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MOVPE, processing and characterization of AlGaN/GaN HEMTs with different Al concentrations on silicon substrates von Fieger, M., Eickelkamp, M., Rahimzadeh Koshroo, L., Dikme, Y., Noculak, A., Kalisch, H., Heuken, M., Jansen, R.H., Vescan, A.

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