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Internal node probing of a DRAM with a low-temperature e-beam tester
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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A new failure mode of radiation-induced soft errors in dynamic memories
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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A 12-ns low-temperature DRAM
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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A 22-ns 1-Mbit CMOS high-speed DRAM with address multiplexing
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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Experimental single flux quantum NDRO Josephson memory cell
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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An experimental 64-bit decoded Josephson NDRO random access memory
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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