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Large-signal 2T, 1C DRAM cell: signal and layout analysis
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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Internal node probing of a DRAM with a low-temperature e-beam tester
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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A new failure mode of radiation-induced soft errors in dynamic memories
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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A 12-ns low-temperature DRAM
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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A 22-ns 1-Mbit CMOS high-speed DRAM with address multiplexing
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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Intrinsic Fluctuations in the Driven Josephson Oscillator
Veröffentlicht in Physical review letters
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Experimental single flux quantum NDRO Josephson memory cell
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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Electrical Properties of Selenium. II. Microcrystalline Selenium
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Electrical Properties of Selenium: I. Single Crystals
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Electrical Properties of Selenium. III. Microcrystalline Selenium Metal Doped
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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