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Ultrawide‐Bandgap Semiconductors: Research Opportunities and Challenges
Veröffentlicht in Advanced electronic materials
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The No Surprises Act: What Neuroradiologists Should Know
Veröffentlicht in American journal of neuroradiology : AJNR
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Measurements of an AC-LGAD strip sensor with a 120 GeV proton beam
Veröffentlicht in Journal of instrumentation
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Local trap spectroscopy on cross-sectioned AlGaN/GaN devices with in situ biasing
Veröffentlicht in Applied physics letters
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High-quality InAsyP1−y step-graded buffer by molecular-beam epitaxy
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Thermometry of AlGaN/GaN HEMTs Using Multispectral Raman Features
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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The Impact of Bias Conditions on Self-Heating in AlGaN/GaN HEMTs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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