Advanced tools for smartphone-based experiments: phyphox von Staacks, S, Hütz, S, Heinke, H, Stampfer, C

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Microstructure of heteroepitaxial GaN revealed by x-ray diffraction von Chierchia, R., Böttcher, T., Heinke, H., Einfeldt, S., Figge, S., Hommel, D.

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X-ray diffraction analysis of the defect structure in epitaxial GaN von Heinke, H., Kirchner, V., Einfeldt, S., Hommel, D.

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Collaborative smartphone experiments for large audiences with phyphox von Staacks, S, Dorsel, D, Hütz, S, Stallmach, F, Splith, T, Heinke, H, Stampfer, C

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The role of high-temperature island coalescence in the development of stresses in GaN films von Böttcher, T., Einfeldt, S., Figge, S., Chierchia, R., Heinke, H., Hommel, D., Speck, J. S.

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Strain relaxation in AlGaN under tensile plane stress von Einfeldt, S., Kirchner, V., Heinke, H., Dießelberg, M., Figge, S., Vogeler, K., Hommel, D.

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Quantum dot formation by segregation enhanced CdSe reorganization von Passow, T., Leonardi, K., Heinke, H., Hommel, D., Litvinov, D., Rosenauer, A., Gerthsen, D., Seufert, J., Bacher, G., Forchel, A.

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Strain relaxation in AlGaN/GaN superlattices grown on GaN von Einfeldt, S., Heinke, H., Kirchner, V., Hommel, D.

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Incorporation of indium during molecular beam epitaxy of InGaN von Böttcher, T., Einfeldt, S., Kirchner, V., Figge, S., Heinke, H., Hommel, D., Selke, H., Ryder, P. L.

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Measuring the magnetic field of a low frequency LC-circuit with phyphox von Westermann, N, Staacks, S, Heinke, H, Möhrke, P

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CdSe/ZnSe quantum structures grown by migration enhanced epitaxy: Structural and optical investigations von Leonardi, K., Heinke, H., Ohkawa, K., Hommel, D., Selke, H., Gindele, F., Woggon, U.

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Strain in cracked AlGaN layers von Einfeldt, S., Dießelberg, M., Heinke, H., Hommel, D., Rudloff, D., Christen, J., Davis, R. F.

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Growth of MgTe and Cd1-xMgxTe thin films by molecular beam epitaxy von WAAG, A, HEINKE, H, SCHOLL, S, BECKER, C. R, LANDWEHR, G

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500-560 nm Laser Emission from Quaternary CdZnSSe Quantum Wells von Klude, M., Alexe, G., Kruse, C., Passow, T., Heinke, H., Hommel, D.

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Mosaicity of GaN Epitaxial Layers: Simulation and Experiment von Chierchia, R., Böttcher, T., Figge, S., Diesselberg, M., Heinke, H., Hommel, D.

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Relaxation and mosaicity profiles in epitaxial layers studied by high resolution X-ray diffraction von Heinke, H., Möller, M.O., Hommel, D., Landwehr, G.

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Electro-Optical Characterization of CdSe Quantum Dot Laser Diodes von Klude, M., Passow, T., Heinke, H., Hommel, D.

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Thermal expansion of bulk and homoepitaxial GaN von Kirchner, V., Heinke, H., Hommel, D., Domagala, J. Z., Leszczynski, M.

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X-ray scattering from GaN epitaxial layers - an example of highly anisotropic coherence von Heinke, H, Kirchner, V, Selke, H, Chierchia, R, Ebel, R, Einfeldt, S, Hommel, D

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Nondestructive evaluation of misfit dislocation densities in ZnSe∕GaAs heterostructures by x-ray diffuse scattering von Alexe, G., Heinke, H., Haase, L., Hommel, D., Schreiber, J., Albrecht, M., Strunk, H. P.

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