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Room-Temperature Skyrmion Shift Device for Memory Application
Veröffentlicht in Nano letters
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High Spin Hall Conductivity in Large‐Area Type‐II Dirac Semimetal PtTe2
Veröffentlicht in Advanced materials (Weinheim)
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Low power flexible monolayer MoS2 integrated circuits
Veröffentlicht in Nature communications
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Current-driven magnetization switching in a van der Waals ferromagnet Fe3GeTe2
Veröffentlicht in Science advances
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Mechanism of nonvolatile resistive switching in graphene oxide thin films
Veröffentlicht in Carbon (New York)
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Resistance switching in polycrystalline BiFeO3 thin films
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Nonvolatile resistive switching in metal/La-doped BiFeO3/Pt sandwiches
Veröffentlicht in Nanotechnology
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Growth, Characterization, and Properties of Nanographene
Veröffentlicht in Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)
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