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    Direct observation of a critical length effect in dual-damascene Cu/oxide interconnects

    Direct observation of a critical length effect in dual-damascene Cu/oxide interconnects von Ogawa, Ennis T., Bierwag, Alexander J., Lee, Ki-Don, Matsuhashi, Hideki, Justison, Patrick R., Ramamurthi, Anup N., Ho, Paul S., Blaschke, Volker A., Griffiths, David, Nelsen, Anne, Breen, Mark, Havemann, Robert H.

    Veröffentlicht in Applied physics letters

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    Reliability and early failure in Cu/oxide dual-damascene interconnects

    Reliability and early failure in Cu/oxide dual-damascene interconnects von OGAWA, Ennis T, LEE, Ki-Don, MATSUHASHI, Hideki, HO, Paul S, BLASCHKE, Volker A, HAVEMANN, Robert H

    Veröffentlicht in Journal of electronic materials

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    Integrated barrier/plug fill schemes for high aspect ratio Gb DRAM contact metallization

    Integrated barrier/plug fill schemes for high aspect ratio Gb DRAM contact metallization von Chen, Yu-Pei, Dixit, Girish A, Lu, Jiong-Ping, Hsu, Wei-Yung, Konecni, Anthony J, Luttmer, J.D, Havemann, Robert H

    Veröffentlicht in Thin solid films

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    High-performance interconnects: An intégration overview: Special Issue on Interconnections-Adressing the Next Challenge of IC Technology. Part 2: Design, Characterization & Modeling

    High-performance interconnects: An intégration overview: Special Issue on Interconnections-Adressing the Next Challenge of IC Technology. Part 2: Design, Characterization & Modelin... von HAVEMANN, Robert H, HUTCHBY, James A

    Veröffentlicht in Proceedings of the IEEE

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    Nanoparticle cap layer

    Nanoparticle cap layer von HAVEMANN ROBERT H, ALERS GLENN

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    Nanoparticle cap layer

    Nanoparticle cap layer von Alers, Glenn, Havemann, Robert H

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    Nanoparticle cap layer

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    Integrated circuit having a doped porous dielectric and method of manufacturing the same

    Integrated circuit having a doped porous dielectric and method of manufacturing the same von HAVEMANN ROBERT H

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    Integrated circuit having a doped porous dielectric and method of manufacturing the same

    Integrated circuit having a doped porous dielectric and method of manufacturing the same von Havemann, Robert H

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    Schooling and Economic Well-Being: The Role of Nonmarket Effects

    Schooling and Economic Well-Being: The Role of Nonmarket Effects von Haveman, Robert H., Wolfe, Barbara L.

    Veröffentlicht in The Journal of human resources

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    Integrated circuit having a doped porous dielectric and method of manufacturing the same

    Integrated circuit having a doped porous dielectric and method of manufacturing the same von HAVEMANN ROBERT H

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    Integrated circuit having a doped porous dielectric and method of manufacturing the same von HAVEMANN ROBERT H

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    Integrated circuit having a doped porous dielectric and method of manufacturing the same

    Integrated circuit having a doped porous dielectric and method of manufacturing the same von Havemann, Robert H

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    Verbesserungen in Bezug auf Halbleitervorrichtungen

    Verbesserungen in Bezug auf Halbleitervorrichtungen von HAVEMANN, ROBERT H

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    Methods for forming a fuse in a semiconductor device

    Methods for forming a fuse in a semiconductor device von Havemann, Robert H

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    Methods for forming a fuse in a semiconductor device

    Methods for forming a fuse in a semiconductor device von HAVEMANN ROBERT H

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    METHODS FOR FORMING A FUSE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

    METHODS FOR FORMING A FUSE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE von HAVEMANN ROBERT H

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    Improvements in or relating to semiconductor devices

    Improvements in or relating to semiconductor devices von HAVEMANN, ROBERT H

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    Verfahren zur Herstellung von Löchern in einer dielektrischen Schicht mit niedriger Dielektrizitätskonstante auf einer Halbleitervorrichtung

    Verfahren zur Herstellung von Löchern in einer dielektrischen Schicht mit niedriger Dielektrizitätskonstante auf einer Halbleitervorrichtung von HAVEMANN, ROBERT H

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