Atomic layer epitaxy growth of TiN thin films von RITALA, M, LESKELÄ, M, RAUHALA, E, HAUSSALO, P

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Hydrogen migration in diamond-like carbon films von Vainonen, E., Likonen, J., Ahlgren, T., Haussalo, P., Keinonen, J., Wu, C. H.

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Recovery of He, H and D implanted Ta, Nb, W and AISI 316L steel samples in annealing von Haussalo, P.

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Titanium isopropoxide as a precursor in atomic layer epitaxy of titanium dioxide thin films von Ritala, Mikko, Leskela, Markku, Niinisto, Lauri, Haussalo, Pekka

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Stopping of 5–100 keV helium in tantalum, niobium, tungsten, and AISI 316L steel von Haussalo, P., Nordlund, K., Keinonen, J.

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Stopping of 5–100 keV helium in molybdenum, chromium, copper and nickel von Sillanpää, J., Vainonen-Ahlgren, E., Haussalo, P., Keinonen, J.

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Studies of Na-irradiated Ni/Si bilayers: Na migration and NiSi formation von Lieb, K.P., Haussalo, P., Bolse, W., Iligner, C., Keinonen, J., Niederdrenk, M.

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Trapping of hydrogen impurities in helium-implanted niobium and tantalum von Haussalo, P., Keinonen, J., Jäske, U.-M., Sievinen, J.

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Studies of Na-segregation at Ni/α-quartz interfaces von Haussalo, P., Lieb, K.-P., Bolse, W., Illgner, C., Keinonen, J.

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Analysis of AlN thin films by combining TOF-ERDA and NRB techniques von Jokinen, J, Haussalo, P, Keinonen, J, Ritala, M, Riihelä, D, Leskelä, M

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Hydrogen trapping at radiation defects in sodium-implanted iron, nickel and molybdenum von Kehrel†, A., Keinonen, J., Haussalo, P., Lieb, K. P., Uhrmacher, M.

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Low temperature deposition of AlN films by an alternate supply of trimethyl aluminum and ammonia von RIIHELÄ, D, RITALA, M, MATERO, R, LESKELÄ, M, JOKINEN, J, HAUSSALO, P

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Titanium isoproxide as a precursor in atomic layer epitaxy of titanium dioxide thin films von RITALA, M, LESKELÄ, M, NIINISTÖ, L, HAUSSALO, P

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ChemInform Abstract: Low Temperature Deposition of AlN Films by an Alternate Supply of Trimethyl Aluminum and Ammonia von RIIHELAE, D., RITALA, M., MATERO, R., LESKELAE, M., JOKINEN, J., HAUSSALO, P.

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